第1章  第三代半导体材料
  1.1  第三代半导体材料概述
  1.2  第三代半导体材料国内外技术现状与发展趋势
  1.3  第三代半导体在光电器件领域的应用
    1.3.1  半导体照明
    1.3.2  短波长激光器
    1.3.3  光伏电池
    1.3.4  其他
  1.4  ZnS半导体材料
    1.4.1  ZnS基本性质
    1.4.2  ZnS薄膜的制备方法
  1.5  ZnS应用研究
    1.5.1  ZnS在太阳能电池方面的应用研究
    1.5.2  ZnS在电致发光器件方面的应用研究
    1.5.3  ZnS在透明电极方面的应用研究
  1.6  二硫化钼最新研究进展
    1.6.1  MoS2的性质和结构
    1.6.2  MoS2的价带结构和光学性质
    1.6.3  MoS2的制备方法
    1.6.4  基于MoS2的场效应晶体管应用
  1.7  小结
  参考文献
第2章  半导体纳米材料
  2.1  纳米材料
    2.1.1  纳米材料概述
    2.1.2  纳米材料的特性
    2.1.3  纳米材料的合成与制备
  2.2  半导体纳米材料
    2.2.1  半导体纳米材料概述
    2.2.2  半导体纳米材料的特性
    2.2.3  半导体纳米材料的合成与制备
    2.2.4  半导体纳米材料的应用
  2.3  ZnO材料结构与特性
    2.3.1  ZnO晶体的物理性质和基本结构
    2.3.2  ZnO的能带结构
    2.3.3  ZnO的光学特性
    2.3.4  ZnO的电学特性
    2.3.5  ZnO的压电特性
  2.4  纳米氧化锌复合材料在电化学生物传感器方面的应用
    2.4.1  电化学生物传感器概述
    2.4.2  电化学生物传感器的分类
    2.4.3  基于氧化锌/金纳米复合材料的电化学传感器对抗坏血酸和尿酸的同时检测
  2.5  ZnO纳米材料在其他方面的应用
    2.5.1  ZnO纳米材料在发光器件中的应用
    2.5.2  ZnO纳米材料在太阳能电池中的应用
    2.5.3  ZnO纳米材料在探测器中的应用
    2.5.4  ZnO紫外探测器
  2.6  石墨烯
    2.6.1  石墨烯概述
    2.6.2  石墨烯复合材料
  2.7  石墨烯基复合材料的应用
  2.8  石墨烯/硅光电探测器
    2.8.1  石墨烯简介
    2.8.2  石墨烯的制备方法
    2.8.3  石墨烯在光电探测器中的应用
    2.8.4  石墨烯/硅光电探测器的具体介绍
  2.9  小结
  参考文献
第3章  金属硒化物半导体纳米材料
  3.1  CdSe半导体纳米材料
    3.1.1  CdSe的基本性质
    3.1.2  CdSe纳米半导体薄膜的制备方法
    3.1.3  CdSe-半导体纳米材料的应用
  3.2  SnSe半导体材料
    3.2.1  SnSe半导体材料简介
    3.2.2  国内外SnSe材料研究现状
  3.3  ZnSe半导体纳米材料
    3.3.1  ZnSe半导体纳米材料简介
    3.3.2  ZnSe的性质、晶体结构及能带结构
    3.3.3  ZnSe纳米材料的制备方法
    3.3.4  ZnSe纳米材料的应用
  3.4  小结
  参考文献
第4章  碳化硅器件
  4.1  SiO2简介
  4.2  SiC分立器件的研究现状
  4.3  SiC器件的分类
    4.3.1  SiC肖特基二极管
    4.3.2  SiC功率器件
    4.3.3  SiC开关器件
    4.3.4  SiC微波器件
  4.4  SiC集成电路的研究现状
  4.5  SiC材料的外延生长
  4.6  SiC材料的特点与结构
  4.7  SiC器件在高温环境中的应用
  4.8  小结
  参考文献
第5章  可控硅
  5.1  可控硅简介
  5.2  可控硅特性
  5.3  可控硅检测
    5.3.1  单向可控硅检测
    5.3.2  双向可控硅检测
    5.3.3  光控可控硅检测
  5.4  可控硅元件的使用原理
    5.4.1  可控硅的分类
    5.4.2  可控硅元件使用的注意事项
    5.4.3  可控硅元件的保护措施
  5.5  可控硅应用
  5.6  小结
  参考文献
第6章  绝缘栅双极型晶体管
  6.1  IGBT原理
  6.2  IGBT结构及分类
    6.2.1  IGBT结构
    6.2.2  PT-IGBT和NPT-IGBT
  6.3  IGBT的工作原理
  6.4  IGBT的特性分析
    6.4.1  IGBT的静态特性
    6.4.2  IGBT的动态特性
  6.5  小结
  参考文献
第7章  高电子迁移率晶体管
  7.1  HEMT简介
  7.2  HEMT原理
    7.2.1  MESFET
    7.2.2  HEMT
  7.3  HEMT器件热特性
  7.4  AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
    7.4.1  GaN材料
    7.4.2  AlGaN/GaN HEMT结构
    7.4.3  AlGaN/GaN HEMT工作原理
  7.5  AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与I-V特性关系
    7.5.1  背景简介
    7.5.2  器件性能的优化分析
  7.6  小结
  参考文献
第8章  新工具、新技术在微电子学中的应用
  8.1  人lT神经网络
    8.1.1  人工神经网络概述
    8.1.2  人工神经网络基础
    8.1.3  人工神经网络在微电子学中的应用
  8.2  智能优化算法
    8.2.1  概述
    8.2.2  禁忌搜索算法
    8.2.3  模拟退火算法
    8.2.4  遗传算法
    8.2.5  遗传算法在集成电路设计中的应用
  8.3  异步设计
    8.3.1  异步设计的研究
    8.3.2  异步控制器的实现
  8.4  卷积神经网络
    8.4.1  卷积神经网络概述
    8.4.2  基于FPGA的CNN图像识别加速与优化
    8.4.3  GCNN
  8.5  小结
  参考文献
第9章  集成电路的超低功耗设计
  9.1  硅基集成电路技术简介
  9.2  集成电路的功耗分析
  9.3  纳米尺度工艺的功耗趋势
  9.4  超低功耗集成电路的工艺及器件结构
  9.5  集成电路的低功耗设计技术
  9.6  小结
  参考文献
第10章  新型工艺
  10.1  半导体工艺
    10.1.1  半导体工艺概述
    lO.1.2  半导体工艺发展现状
  10.2  7nm工艺
  10.3  FinFET技术
    10.3.1  FinFET概述
    10.3.2  高K基FjnFET
  10.4  GAAFET技术
    10.4.1  GAAFET简介
    10.4.2  GAAFET发展状况
  10.5  小结
  参考文献
第ll章  微电子新型封装技术
  11.1  微电子封装技术
    11.1.1  微电子封装技术概述
    11.1.2  微电子封装技术发展及其方向
  11.2  MEMS封装
    11.2.1  MEMS封装技术
    11.2.2  键合技术
    11.2.3  倒装芯片封装技术
    11.2.4  多芯片封装技术
  11.3  叠层3D封装
    11.3.1  芯片叠层
    11.3.2  封装叠层
    11.3.3  晶圆叠层3D封装
  11.4  chiplet封装
    11.4.1  chiplet简介
    11.4.2  chiplet封装结构
  11.5  小结
  参考文献