第1章  功率变换
  1.1  引言
  1.2  变流技术
  1.3  电力电子变流器
  1.4  效率
  1.5  应用
  参考文献
第2章  硅功率器件
  2.1  材料和器件
  2.2  MOSFET
  2.3  功率MOSFET的电气特性
  2.4  功率MOSFET的损耗
  参考文献
第3章  宽禁带材料
  3.1  引言
  3.2  碳化硅（SiC）
  3.3  氮化镓（GaN）
    3.3.1  GaN的特性
    3.3.2  横向与纵向GaN结构
  3.4  SiC和GaN的晶体结构
  3.5  金刚石与氧化镓
  参考文献
第4章  GaN
  4.1  GaN的特性
  4.2  衬底与材料
    4.2.1  蓝宝石衬底
    4.2.2  Si衬底
    4.2.3  Qromis衬底技术（QST）
  4.3  传输特性
  4.4  GaN的缺陷与杂质
  参考文献
第5章  GaN功率器件
  5.1  GaN功率器件概述
  5.2  电学特性
  5.3  GaN建模
  5.4  外延与掺杂
  5.5  远程外延技术在GaN与SiC薄膜领域的潜力
  5.6  GaN HEMT的制造
  5.7  拓扑结构
  5.8  驱动特性
  5.9  平面型GaN器件
  5.10  垂直型GaN器件
  5.11  可靠性
  5.12  动态导通电阻
  5.13  栅极退化
  5.14  封装
  5.15  热管理
  参考文献
第6章  GaN应用
  6.1  探索汽车产业
    6.1.1  功率模块
    6.1.2  逆变模块
    6.1.3  直流-直流变换器
    6.1.4  电机控制
  6.2  GaN增强激光雷达（LiDAR）的工作性能
    6.2.1  飞行时间LiDAR
    6.2.2  GaN半导体在LiDAR中的应用
  6.3  GaN在RF领域的革新
    6.3.1  GaN在军事中的应用
    6.3.2  GaN在电信业中的应用
  6.4  太空应用
    6.4.1  GaN中的辐射效应
    6.4.2  电气性能
    6.4.3  太空用DC-DC设计
    6.4.4  电机控制
    6.4.5  挑战与竞争格局
  6.5  电机驱动
    6.5.1  典型解决方案
    6.5.2  GaN在电机驱动中的优势
  6.6  隔离式GaN驱动器
  6.7  电源供应：数字控制
  6.8  低温应用
  6.9  LED技术
  6.10  无线充电技术
  参考文献
第7章  SiC
  7.1  引言
  7.2  SiC的特性
  7.3  SiC晶圆制造与缺陷分析
  7.4  器件工艺
  7.5  沟槽栅MOSFET和平面栅MOSFET
  7.6  器件可靠性
  参考文献
第8章  SiC功率器件
  8.1  SiC MOSFET
  8.2  SiC模块
  8.3  SiC肖特基二极管
  参考文献
第9章  SiC应用
  9.1  电动汽车
    9.1.1  电动汽车动力系统
    9.1.2  电动汽车充电器
    9.1.3  电动汽车逆变器
    9.1.4  高压保护
  9.2  SiC技术案例
    9.2.1  微芯科技（Microchip Technology）的SiC技术
    9.2.2  安森美（onsemi）的SiC技术
  9.3  可再生能源
    9.3.1  太阳能逆变器
    9.3.2  风力机
  9.4  储能技术
  9.5  并网储能
  9.6  光伏电池的效率
  9.7  电机驱动技术
    9.7.1  电机控制基础概述
    9.7.2  伺服驱动
  9.8  工业驱动领域
  9.9  其他应用领域
  参考文献
第10章  宽禁带器件仿真
  10.1  使用LTspice估算SiC MOSFET的开关损耗
    10.1.1  开关损耗
    10.1.2  静态分析
    10.1.3  动态分析
  10.2  GaN器件的LTspice仿真
    10.2.1  GaN器件测试实例一：GaN System GS61008P
    10.2.2  制造商提供的库
    10.2.3  LTspice上的符号
    10.2.4  开关速度测试
    10.2.5  GaN器件测试实例二：eGaN FET EPC
  10.3  SiC二极管的仿真
    10.3.1  SiC二极管
    10.3.2  正向电压
    10.3.3  容抗
  参考文献
第11章  宽禁带半导体市场及解决方案
  11.1  BelGaN
  11.2  Cambridge GaN Devices
  11.3  EPC
  11.4  英飞凌（Infineon Technologies）
  11.5  英诺赛科（Innoscience）
  11.6  安世半导体（Nexperia）
  11.7  Odyssey Semiconductor Technologies
  11.8  Tagore
  11.9  德州仪器
  11.10  Transphorm
  11.11  VisIC Technologies
  11.12  Wise-integration
  11.13  X-FAB
  11.14  Power Integrations
  11.15  纳微半导体（Navitas Semiconductor）
  11.16  瑞萨电子（Renesas Electronics）
  11.17  罗姆半导体（Rohm Semiconductor）
  11.18  意法半导体（STMicroelectronics）
  11.19  利普思半导体
  11.20  微芯科技（Microchip Technology）
  11.21  安森美（onsemi）
  11.22  Qorvo
  11.23  赛米控丹佛斯（Semikron Danfoss）
  11.24  瑞能半导体
  11.25  Wolfspeed
  参考文献
第12章  功率器件的未来：代工服务
  12.1  汉磊科技
  12.2  世界先进半导体
  12.3  联颖光电
结语