1  绪论
  1.1  物质磁性的基本特征和理论
  1.2  分子磁体
  1.3  半金属铁磁体
  1.4  与自旋电子学有关的几个概念和重要现象
  1.5  本章小结
2  几种典型的新型低维半导体材料
  2.1  石墨烯及其纳米带
  2.2  单层氮化硼及其纳米带
  2.3  黑磷烯和蓝磷烯及其纳米带
  2.4  二硫化钼
  2.5  本章小结
3  理论基础
  3.1  密度泛函理论
  3.2  非平衡态格林函数和密度泛函理论相结合方法
  3.3  本章小结
4  掺杂六角氮化硼纳米带的奇异输运性质
  4.1  掺杂h-BN纳米带的电磁性质
  4.2  计算方法和计算参数设置
  4.3  碳替代氨控制的氨化硼纳米带中低偏压下的巨NDR
  4.4  碳掺杂氮化硼纳米带构建的p-n结的输运性质
  4.5  本章小结
5  二维表面及界面电子结构和半金属性质
  5.1  钙钛矿相BaCrO3(001)表面电子结构及半金属性研究
  5.2  闪锌矿相MnSb/GaSb异质结(001)及(111)界面电子结构和半金属性研究
  5.3  本章小结
6  掺杂黑磷烯纳米带的电子结构和输运性质
  6.1  V掺杂位置对黑磷烯纳米带的电子和输运性质的调控
  6.2  边缘钝化对V掺杂黑磷烯纳米带电子和输运性质的调控
  6.3  Si掺杂对黑磷烯纳米带的电子和输运性质调控
  6.4  本章小结
7  两种分子磁体的电子结构和磁性质
  7.1  非纯有机铁磁体[Mn(ins)(M1,1-N3)(CH30H)]2的电子结构和磁性质
  7.2  非纯有机反铁磁体Co[(CH3PO3)(H2O)]的电子结构和磁性质
  7.3  本章小结
8  基于单分子磁体Mn(dmit)2和FeN4的自旋电子学器件
  8.1  基于单分子磁体Mn(dmit)2的自旋电子学器件
  8.2  FeN4分子嵌入扶手椅型石墨烯纳米带的自旋电子学器件
  8.3  本章小结
参考文献
    第一节  促进政策的演进
    第二节  面向新发展阶段的政策建立
    第三节  政策框架与建设要点
    第四节  重点建议
第四篇  新型研发机构建设研讨专题
  第十章  新型研发机构的问题与发展策略探讨
    专题1 新型研发机构旨在解决哪些问题
    专题2 如何看待新型研发机构业务运行与法人属性的矛盾
    专题3 新型研发机构如何做好人才引进、培养和使用工作
    专题4 新型研发机构如何做好创新的资本赋能
    专题5 新型研发机构如何构建创新生态
  参考文献