1  绪论
  1.1  二维材料
    1.1.1  二维材料的性质
    1.1.2  二维材料的应用
  1.2  GaN材料
    1.2.1  GaN材料的性质
    1.2.2  二维GaN材料的研究背景
    1.2.3  不同构型的二维GaN
  1.3  二维GaN材料的制备方法
    1.3.1  化学气相沉积法
    1.3.2  模板转换生长法
  参考文献
2  理论计算基础
  2.1  第一性原理
    2.1.1  多粒子体系的Schrodinger方程
    2.1.2  Born-Oppenheimer近似
    2.1.3  Hartree-Fock方法
  2.2  密度泛函理论
    2.2.1  Hohenberg-Kohn定理和Kohn-Sham方程
    2.2.2  广义梯度近似
  2.3  密度泛函微扰理论
    2.3.1  密度泛函微扰理论
    2.3.2  晶体中的振动态计算
    2.3.3  伯恩有效电荷和LO-TO分裂
    2.3.4  拉曼光谱的计算
  参考文献
3  两步法制备GaN纳米片以及光谱分析
  3.1  实验制备部分
    3.1.1  实验用材及两步法制备方法
    3.1.2  实验步骤
    3.1.3  测试分析仪器
  3.2  γ-Ga2O3纳米片的制备与表征
    3.2.1  温度对-Ga2O3纳米片形貌的影响
    3.2.2  反应时间对-Ga2O3纳米片形貌的影响
    3.2.3  -Ga2O3纳米片的表征
    3.2.4  -Ga2O3纳米片的生长机理
  3.3  GaN纳米片的表征
  3.4  GaN纳米片的光谱特性
    3.4.1  GaN纳米片的拉曼光谱
    3.4.2  GaN纳米片的吸收光谱和光致发光谱
  参考文献
4  化学气相沉积法制备GaN纳米片
  4.1  实验试剂与仪器
    4.1.1  实验试剂与源材料
    4.1.2  实验仪器
  4.2  实验步骤
  4.3  不同工艺条件下GaN纳米片的制备与表征
    4.3.1  反应温度区间对GaN纳米片的影响
    4.3.2  升温速率对GaN纳米片形貌的影响
    4.3.3  快速降温对GaN纳米片形貌的影响
    4.3.4  NH，流量对GaN纳米片形貌的影响
    4.3.5  EDS表征分析
    4.3.6  XRD表征分析
    4.3.7  生长机理分析
  参考文献
5  液态金属催化法和氨化二维氧化镓法制备二维GaN纳米片
  5.1  实验原料
  5.2  实验原理
    5.2.1  液态金属催化法
    5.2.2  氨化二维氧化镓法
  5.3  实验步骤
    5.3.1  液态金属催化法
    5.3.2  氨化二维氧化镓法
  5.4  实验结果与讨论——液态金属催化法
    5.4.1  NH3流量对GaN形貌的影响
    5.4.2  反应时间对GaN形貌的影响
    5.4.3  Ga层厚度对GaN形貌的影响
    5.4.4  二维氮化镓的XRD表征
  5.5  实验结果与讨论——氨化二维氧化镓法
    5.5.1  不同反应温度对氧化镓前驱体形貌的影响
    5.5.2  不同氨气流量对氮化镓形貌的影响
    5.5.3  二维氧化镓的EDS表征
    5.5.4  二维氧化镓的XRD表征
    5.5.5  二维氮化镓的EDS表征
    5.5.6  二维氮化镓的XRD表征
  参考文献
6  工艺条件对二维GaN纳米材料的影响
  6.1  实验方案
    6.1.1  衬底的预处理
    6.1.2  生长二维GaN纳米材料
  6.2  实验材料
  6.3  实验设备
  6.4  实验原理
    6.4.1  液态金属基底催化剂
    6.4.2  生长二维GaN纳米材料
  6.5  结果与讨论
    6.5.1  生长温度对二维GaN纳米材料形貌的影响
    6.5.2  氨气流量对二维GaN纳米材料形貌的影响
    6.5.3  反应时间对二维GaN纳米材料形貌的影响
    6.5.4  二维GaN纳米材料EDS表征测试
    6.5.5  二维GaN纳米材料XRD表征测试
    6.5.6  二维GaN纳米材料拉曼光谱表征测试
  参考文献
7  Mg、C和S掺杂g-GaN的电子结构和物理性质
  7.1  研究方法与研究模型
    7.1.1  研究方法与计算参数
    7.1.2  研究模型
  7.2  结果与讨论
    7.2.1  掺杂体系稳定性验证
    7.2.2  电荷分布及电荷转移分析
    7.2.3  掺杂体系的能带结构与态密度
    7.2.4  功函数
    7.2.5  载流子迁移率计算
  参考文献
8  Cs、S和O吸附二维GaN体系的理论研究
  8.1  理论计算模型及方法
    8.1.1  理论模型
    8.1.2  计算方法
  8.2  计算结果及讨论
    8.2.1  GaN修饰体系结构
    8.2.2  吸附能
    8.2.3  电荷布居
    8.2.4  能带与态密度
    8.2.5  光学性质
  参考文献
9  钝化与掺杂二维GaN理论研究
  9.1  参数设定与模型构建
    9.1.1  软件参数设定
    9.1.2  二维GaN基材料模型构建
  9.2  计算结果与讨论
    9.2.1  形成能计算
    9.2.2  晶格参数优化
    9.2.3  能带与电子态密度
    9.2.4  差分电荷密度分析
    9.2.5  光学特性分析
  参考文献
10  二维GaN的电子与光谱特性
  10.1  屈曲结构GaN的电子与光谱特性
    10.1.1  屈曲GaN简介
    10.1.2  计算方法
    10.1.3  结果与讨论
  10.2  平面结构GaN的电子与光谱特性
    10.2.1  平面GaN简介
    10.2.2  结果与讨论
  参考文献
11  有机分子吸附g-GaN的电子特性与电荷转移
  11.1  研究方法与计算参数
  11.2  研究模型
    11.2.1  有机分子吸附模型构建
    11.2.2  最佳构型的确定
  11.3  电荷分布与能带结构分析
    11.3.1  电荷分布与电荷转移
    11.3.2  能带结构
  11.4  外部电场对吸附体系的影响
  参考文献
12  超卤素吸附g-GaN单层电子、磁和输运特性
  12.1  研究方法与模型
    12.1.1  研究方法与计算参数
    12.1.2  研究模型与稳定性
  12.2  结果与讨论
    12.2.1  电子特性
    12.2.2  磁特性
    12.2.3  力学特性
    12.2.4  输运特性
  参考文献
13  g-GaN/Si9C15异质结光催化性能
  13.1  研究方法与模型
    13.1.1  研究方法与计算参数
    13.1.2  研究模型与稳定性
  13.2  结果与讨论
    13.2.1  电子特性
    13.2.2  S型异质结机制与光学特性
    13.2.3  催化特性
    13.2.4  光电特性
  参考文献
14  扭曲双层g-GaN电子、力学和光学特性
  14.1  研究方法与模型
    14.1.1  研究方法与计算参数
    14.1.2  研究模型与稳定性
  14.2  结果与讨论
    14.2.1  电子特性
    14.2.2  力学特性
    14.2.3  光学特性
参考文献