1  绪论
  1.1  自旋电子学
    1.1.1  自旋电子学简介
    1.1.2  有机自旋电子学简介
  1.2  自旋电子器件简介
    1.2.1  无机自旋电子器件简介
    1.2.2  有机自旋电子器件简介
  1.3  单分子自旋电子器件的研究现状及磁电阻效应
    1.3.1  单分子自旋电子器件的研究现状
    1.3.2  磁电阻效应
  1.4  研究分子器件输运性质的目的与意义
2  理论基础与计算方法
  2.1  第一性原理计算
    2.1.1  绝热近似
    2.1.2  Hartree-Fock近似和自洽场方法
    2.1.3  密度泛函理论
  2.2  格林函数方法
    2.2.1  平衡格林函数
    2.2.2  非平衡格林函数
  2.3  非平衡态格林函数在分子器件中的应用
    2.3.1  Landauer-Buttiker公式
    2.3.2  电流计算公式
    2.3.3  分子器件中电流的计算
  2.4  计算软件介绍
3  分子器件自旋极化输运的性质与调控
  3.1  分子器件自旋注入与自旋输运的研究
    3.1.1  计算模型和方法
    3.1.2  结果分析及讨论
    3.1.3  研究结论
  3.2  锚定基团对自旋极化输运的影响
    3.2.1  计算模型的构建
    3.2.2  计算结果分析与讨论
    3.2.3  研究结论
  3.3  磁性电极对自旋极化输运的影响
    3.3.1  计算模型的构建和研究方法
    3.3.2  计算结果分析与讨论
    3.3.3  研究结论
4  石墨烯纳米带自旋极化输运与调控的研究
  4.1  边缘Fe取代的锯齿形石墨烯纳米带自旋输运性质
    4.1.1  计算模型的构建和研究方法
    4.1.2  计算结果讨论与分析
    4.1.3  研究结论
  4.2  锯齿形石墨烯纳米带结的自旋输运性质的研究
    4.2.1  计算方法
    4.2.2  计算结果讨论与分析
    4.2.3  研究结论
5  类石墨烯二维纳米材料输运性质与调控的研究
  5.1  锯齿形边缘石墨炔纳米带分子纳米结中的自旋输运性质
    5.1.1  石墨炔分子器件的结构设计和计算模型的构建
    5.1.2  计算结果讨论与分析
    5.1.3  研究结论
  5.2  磷化碳纳米衍生物电子结构性质的调控研究
    5.2.1  模型结构和计算方法
    5.2.2  结果与讨论
    5.2.3  研究结论
  5.3  低维氮化镓纳米衍生物电子结构和输运性质研究
    5.3.1  模型结构和计算方法
    5.3.2  结果与讨论
    5.3.3  研究结论
  5.4  空位缺陷和应变工程对二维PtSe2电子结构特性的影响
    5.4.1  计算细节
    5.4.2  结果和讨论
    5.4.3  研究结论
6  基于长度无关五-四-五边形碳基分子多功能器件
  6.1  计算模型和方法
  6.2  结果与讨论
    6.2.1  共面PTP分子器的自旋分离和整流效应研究
    6.2.2  非共面PTP分子器件的自旋效应研究
    6.2.3  TPO纳米带电子结构与输运特性
  6.3  研究结论
参考文献