第1章  绪论
  1.1  核辐射探测在极端环境与强辐射场应用中的作用
  1.2  核辐射探测器的发展简介
  1.3  宽禁带半导体核辐射探测器总体进展综述（研究现状）
    1.3.1  金刚石核辐射探测器的发展及应用
    1.3.2  SiC核辐射探测器的发展及应用
  参考文献
第2章  宽禁带半导体核辐射探测器的探测原理
  2.1  核辐射的基本性质
  2.2  粒子与物质的相互反应
  2.3  宽禁带半导体核辐射探测器的基本结构和工作原理
    2.3.1  探测器结构与工作原理
    2.3.2  基本辐射探测系统
  参考文献
第3章  金刚石核辐射探测器
  3.1  核辐射探测器级金刚石材料的生长方法
    3.1.1  核辐射探测器的载流子输运
    3.1.2  高质量CVD单晶金刚石材料生长
  3.2  核辐射探测器级金刚石材料的特性表征分析
    3.2.1  金刚石样品选型策略
    3.2.2  金刚石的非破坏性表征分析
  3.3  金刚石核辐射探测器的制备工艺方法和电学特性
    3.3.1  器件结构设计与制备
    3.3.2  氢氧终端CVD金刚石核探测器制备工艺与电特性
  3.4  金刚石核辐射探测器对阿尔法粒子的响应
    3.4.1  能谱特性参数
    3.4.2  测量方法
    3.4.3  单晶金刚石核探测器对α粒子的能谱响应
    3.4.4  单晶金刚石核探测器的时间响应
    3.4.5  对比结果
    3.4.6  多晶金刚石核探测器对α粒子的能谱响应
  3.5  金刚石核辐射探测器对X射线的响应
    3.5.1  性能参数与测试方法
    3.5.2  单晶金刚石核辐射探测器对X射线的响应
    3.5.3  多晶金刚石核辐射探测器对X射线的响应
    3.5.4  小结
  3.6  金刚石材料特性对核辐射探测器的性能影响
    3.6.1  引言
    3.6.2  材料选取
    3.6.3  材料特性表征
    3.6.4  器件制备
    3.6.5  能谱特性
    3.6.6  分析与讨论
    3.6.7  结论
  参考文献
第4章  SiC核辐射探测器的制备
  4.1  SiC核辐射探测器的几种基本结构
    4.1.1  PN结型探测器
    4.1.2  PiN结型探测器
    4.1.3  肖特基结型探测器
    4.1.4  中子探测器
  4.2  探测器级SiC外延材料制备和分析
    4.2.1  SiC单晶衬底的制备
    4.2.2  SiC厚外延层生长工艺
  4.3  SiC外延层的表征及分析
    4.3.1  SiC外延层表征技术
    4.3.2  SiC外延层中的缺陷
  4.4  SiC核辐射探测器的制备和电学特性
    4.4.1  探测器关键制备工艺与基本流程
    4.4.2  探测器电学测试
  参考文献
第5章  SiC核辐射探测器的辐射响应研究
  5.1  SiC核辐射探测器能谱仿真与器件优化设计
    5.1.1  工具软件介绍
    5.1.2  器件仿真模型与材料参数
    5.1.3  粒子辐照探测器脉冲幅度谱计算原理
    5.1.4  器件层面的优化设计
  5.2  SiC核辐射探测器对带电粒子的响应
    5.2.1  带电粒子辐照响应仿真结果分析
    5.2.2  带电粒子辐照响应实验研究与分析
  5.3  SiC核辐射探测器对X射线的响应
    5.3.1  脉冲X射线瞬态响应实验
    5.3.2  脉冲X射线瞬态响应仿真分析
  5.4  SiC核辐射探测器对不同能量中子的响应
    5.4.1  热中子探测性能研究
    5.4.2  14.1 MeV D-T中子探测性能研究
  参考文献
第6章  SiC材料辐照损伤对辐射响应的影响
  6.1  SiC材料缺陷对核辐射探测器性能的影响
  6.2  SiC材料的辐照损伤及探测性能退化
    6.2.1  辐照对SiC材料缺陷的影响机理
    6.2.2  探测器辐照退化的仿真拟合方法
    6.2.3  探测器性能退化研究
  参考文献